- Codice RS:
- 754-5409
- Codice costruttore:
- IKW50N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Aggiunto
Prezzo per Unità
3,03 €
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3,70 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 + | 3,03 € |
- Codice RS:
- 754-5409
- Codice costruttore:
- IKW50N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V
VCEsat molto bassa
Poche perdite di spegnimento
Bassa corrente di coda
EMI ridotte
Temperatura di giunzione massima: 175 °C
VCEsat molto bassa
Poche perdite di spegnimento
Bassa corrente di coda
EMI ridotte
Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 100 A |
Tensione massima collettore emitter | 600 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Dissipazione di potenza massima | 333 W |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Configurazione transistor | Singolo |
Dimensioni | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
- Codice RS:
- 754-5409
- Codice costruttore:
- IKW50N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon