IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 892-2197
- Codice costruttore:
- IKW20N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 2,653 € | 10,61 € |
| 40 - 76 | 2,148 € | 8,59 € |
| 80 - 196 | 2,048 € | 8,19 € |
| 200 - 596 | 1,865 € | 7,46 € |
| 600 + | 1,628 € | 6,51 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 892-2197
- Codice costruttore:
- IKW20N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 40 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 170 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 100kHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 1.07mJ | |
| Capacità del gate | 1100pF | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 40 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 170 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 100kHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Classe di efficienza energetica 1.07mJ | ||
Capacità del gate 1100pF | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
IGBT Infineon, corrente massima continua di collettore 40A, tensione massima di emettitore di collettore 600V - IKW20N60H3FKSA1
Questo modulo IGBT è progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità nel settore dell'elettronica di potenza. Il dispositivo è conforme alle specifiche del contenitore IGBT TO-247 e misura 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Con una tensione massima collettore-emettitore di 600 V e una corrente continua di collettore di 40 A, si rivela efficace per diverse applicazioni esigenti nei settori elettrico e meccanico.
Caratteristiche e vantaggi
• Utilizza la tecnologia TRENCHSTOP, che garantisce un basso VCEsat
• Raggiunge una temperatura di giunzione massima di 175°C per prestazioni robuste
• Dispone di un diodo antiparallelo a recupero rapido e morbido che ne migliora l'affidabilità
• Assicura una velocità di commutazione di 100kHz per un funzionamento efficiente
• Raggiunge una temperatura di giunzione massima di 175°C per prestazioni robuste
• Dispone di un diodo antiparallelo a recupero rapido e morbido che ne migliora l'affidabilità
• Assicura una velocità di commutazione di 100kHz per un funzionamento efficiente
Applicazioni
• Utilizzati nei gruppi di continuità per un funzionamento affidabile
• Efficace nei convertitori di saldatura per una saldatura ad alte prestazioni
• Adatto per convertitori con requisiti di alta frequenza di commutazione
• Efficace nei convertitori di saldatura per una saldatura ad alte prestazioni
• Adatto per convertitori con requisiti di alta frequenza di commutazione
Quali sono le caratteristiche di resistenza termica di questo modulo?
La resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,88 K/W, mentre la resistenza termica del diodo dalla giunzione all'involucro è di 1,89 K/W, garantendo un'efficace dissipazione del calore in ambienti difficili.
Come gestisce l'IGBT i cortocircuiti e la dissipazione di potenza?
Supporta una corrente pulsata di collettore fino a 80A e una capacità di dissipazione di potenza di 170W, consentendo prestazioni robuste in condizioni di cortocircuito. Il dispositivo può gestire fino a 1000 cortocircuiti con un tempo di funzionamento sicuro di 5μs.
Qual è il significato della capacità di gate in questo IGBT?
La capacità di gate di 1100pF contribuisce a controllare efficacemente la tensione gate-emitter, ottimizzando le caratteristiche di commutazione e riducendo le perdite di energia durante il funzionamento.
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.