Semiconduttore di potenza Infineon IGW75N60TFKSA1, VCE 600 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 754-5395
- Codice costruttore:
- IGW75N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 754-5395
- Codice costruttore:
- IGW75N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Semiconduttore di potenza | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 75A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 428W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Semiconduttore di potenza | ||
Corrente massima continua collettore Ic 75A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 428W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Standard/Approvazioni JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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