IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 75 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
145-9177
Codice costruttore:
IGW75N60H3FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

428W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

40.6mm

Standard/Approvazioni

JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

6.2mJ

Paese di origine:
MY

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V

• VCEsat molto bassa

• Poche perdite di spegnimento

• Bassa corrente di coda

• EMI ridotte

• Temperatura di giunzione massima: 175 °C

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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