IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, TO-247
- Codice RS:
- 911-4789
- Codice costruttore:
- IKW75N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,181 € | 185,43 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 911-4789
- Codice costruttore:
- IKW75N60TFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 428 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 428 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
- Paese di origine:
- GB
IGBT Infineon, corrente massima continua di collettore 80A, tensione massima di emettitore di collettore 600V - IKW75N60TFKSA1
Questo IGBT è un componente a semiconduttore ad alte prestazioni progettato per applicazioni di elettronica di potenza. Con una corrente di collettore continua massima di 80A, funziona in modo efficiente in ambienti ad alta tensione, con una tensione nominale di 600V. Il dispositivo è confezionato in un formato TO-247, ideale per il montaggio a foro passante.
Caratteristiche e vantaggi
• La bassa tensione di saturazione collettore-emettitore aumenta l'efficienza
• L'elevata velocità di commutazione riduce la perdita di energia durante il funzionamento
• Il coefficiente di temperatura positivo garantisce prestazioni stabili
• Compatibile con un ampio intervallo di temperature da -40°C a +175°C
• L'elevata velocità di commutazione riduce la perdita di energia durante il funzionamento
• Il coefficiente di temperatura positivo garantisce prestazioni stabili
• Compatibile con un ampio intervallo di temperature da -40°C a +175°C
Applicazioni
• Adatto per l'uso nei convertitori di frequenza in ambito industriale
• Ideale per i sistemi di continuità
• Utilizzato nel controllo dei motori per l'automazione
• Efficace per i sistemi di energia rinnovabile per garantire l'efficienza
• Ideale per i sistemi di continuità
• Utilizzato nel controllo dei motori per l'automazione
• Efficace per i sistemi di energia rinnovabile per garantire l'efficienza
Quali sono le implicazioni del tempo di resistenza al corto circuito per la mia applicazione?
Il tempo di resistenza al cortocircuito di 5μs consente una protezione affidabile nelle applicazioni che possono presentare condizioni di guasto, garantendo che il dispositivo possa sopportare brevi situazioni di sovracorrente senza guasti immediati.
Che impatto ha l'alta velocità di commutazione sull'efficienza del sistema?
L'elevata velocità di commutazione di 20 kHz riduce al minimo le perdite di energia durante le transizioni, migliorando significativamente l'efficienza e le prestazioni complessive del sistema, in particolare nelle applicazioni a risposta rapida.
Quali sono le considerazioni sulla gestione termica per ottenere prestazioni ottimali?
I valori di resistenza termica indicano l'effettiva dissipazione del calore dalla giunzione all'involucro
la gestione delle temperature di giunzione entro i limiti specificati è fondamentale per mantenere un funzionamento affidabile e prolungare la durata dei componenti.
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.