IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

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Codice RS:
165-5481
Codice costruttore:
IKW20N60H3FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

100kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TrenchStop

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

1.07mJ

Paese di origine:
CN

IGBT Infineon, corrente massima continua di collettore 40A, tensione massima di emettitore di collettore 600V - IKW20N60H3FKSA1


Questo modulo IGBT è progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità nel settore dell'elettronica di potenza. Il dispositivo è conforme alle specifiche del contenitore TO-247 IGBT e misura 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Con una tensione massima collettore-emettitore di 600 V e una corrente continua di collettore di 40 A, si rivela efficace per diverse applicazioni esigenti nei settori elettrico e meccanico.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza la tecnologia TRENCHSTOP, che garantisce un basso VCEsat

• Raggiunge una temperatura di giunzione massima di 175°C per prestazioni robuste

• Dispone di un diodo antiparallelo a recupero rapido e morbido che ne migliora l'affidabilità

• Assicura una velocità di commutazione di 100kHz per un funzionamento efficiente

Applicazioni


• Utilizzato nei gruppi di continuità per un funzionamento affidabile

• Efficace nei convertitori di saldatura per una saldatura ad alte prestazioni

• Adatto per convertitori con requisiti di alta frequenza di commutazione

Quali sono le caratteristiche di resistenza termica di questo modulo?


La resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,88 K/W, mentre la resistenza termica del diodo dalla giunzione all'involucro è di 1,89 K/W, garantendo un'efficace dissipazione del calore in ambienti difficili.

Come gestisce l'IGBT i cortocircuiti e la dissipazione di potenza?


Supporta una corrente pulsata di collettore fino a 80A e una capacità di dissipazione di potenza di 170W, consentendo prestazioni robuste in condizioni di cortocircuito. Il dispositivo può gestire fino a 1000 cortocircuiti con un tempo di funzionamento sicuro di 5μs.

Qual è il significato della capacità di gate in questo IGBT?


La capacità di gate di 1100pF contribuisce a controllare efficacemente la tensione gate-emitter, ottimizzando le caratteristiche di commutazione e riducendo le perdite di energia durante il funzionamento.

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