Fototransistor Vishay VEMT3705 VEMT3705-GS08 60 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile,

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Codice RS:
637-773
Codice costruttore:
VEMT3705-GS08
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile

Tipo prodotto

Fototransistor

Tempo di caduta tipico

21000ns

Tempo di salita tipico

14000ns

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

0.6mA

Corrente di buio massima

200nA

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

PLCC 2

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Altezza

1.75mm

Lunghezza

3.5mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020

Corrente collettore

50mA

Tensione emettitore collettore

20V

Standard automobilistico

No

Serie

VEMT3705

Tensione collettore emettitore

7.8V

Paese di origine:
DE
Il fototransistor planare epitassiale NPN in silicio ad alta velocità Vishay è alloggiato in un pacchetto PLCC-2 compatto ed è progettato per la sensibilità alle radiazioni visibili e a infrarossi prossimi, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono un rilevamento preciso della luce.

Il tipo di contenitore è a montaggio superficiale

Tempi di risposta rapidi

Adatto per radiazioni visibili e a infrarossi vicini

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