Fototransistor Vishay VEMT3705 VEMT3705-GS08 60 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile,

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

418,50 €

(IVA esclusa)

510,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 7500 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
1500 +0,279 €418,50 €

*prezzo indicativo

Alternativa

Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.

Codice RS:
637-773
Codice costruttore:
VEMT3705-GS08
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

Fototransistor

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile

Tempo di caduta tipico

21000ns

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Tempo di salita tipico

14000ns

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

600μA

Corrente di buio massima

200nA

Angolo mezza sensibilità

60 °

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

PLCC 2

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Corrente collettore

50mA

Altezza

1.75mm

Lunghezza

3.5mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020

Larghezza

2.8mm

Tensione emettitore collettore

20V

Tensione collettore emettitore

7.8V

Serie

VEMT3705

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il fototransistor planare epitassiale NPN in silicio ad alta velocità Vishay è alloggiato in un pacchetto PLCC-2 compatto ed è progettato per la sensibilità alle radiazioni visibili e a infrarossi prossimi, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono un rilevamento preciso della luce.

Il tipo di contenitore è a montaggio superficiale

Tempi di risposta rapidi

Adatto per radiazioni visibili e a infrarossi vicini

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.