Fototransistor Vishay VEMT3705X02 AEC-Q102 VEMT3705X02-GS08 60 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a

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Codice RS:
637-778
Codice costruttore:
VEMT3705X02-GS08
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

Fototransistor

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile

Tempo di caduta tipico

21000ns

Tempo di salita tipico

14000ns

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

0.6mA

Corrente di buio massima

200nA

Angolo mezza sensibilità

60 °

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

PLCC 2

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Altezza

1.75mm

Larghezza

2.8 mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020

Corrente collettore

50mA

Lunghezza

3.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q102

Serie

VEMT3705X02

Tensione collettore emettitore

7.8V

Tensione emettitore collettore

20V

Paese di origine:
DE
Il fototransistor planare epitassiale NPN in silicio ad alta velocità Vishay è alloggiato in un pacchetto PLCC-2 compatto ed è progettato per rilevare le radiazioni visibili e a infrarossi prossimi, il che lo rende ideale per applicazioni di rilevamento della luce di precisione.

Il tipo di contenitore è a montaggio superficiale

La forma del contenitore è PLCC-2

Certificazione AEC-Q102

Tempi di risposta rapidi