Fototransistor Vishay BPV11 BPV11 15 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile, Foro passante
- Codice RS:
- 257-6814
- Codice costruttore:
- BPV11
- Costruttore:
- Vishay
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- BPV11
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | Fototransistor | |
| Spettri rilevati | Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile | |
| Tempo di caduta tipico | 5μs | |
| Lunghezza d'onda di picco | 850nm | |
| Tempo di salita tipico | 6μs | |
| Confezionamento | Sfuso | |
| Corrente illuminazione massima | 10mA | |
| Corrente di buio massima | 50nA | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tipo di package | Piombato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 100°C | |
| Lunghezza | 5.75mm | |
| Altezza | 8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Corrente collettore | 50mA | |
| Serie | BPV11 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione collettore emettitore | 70V | |
| Tensione emettitore collettore | 70V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto Fototransistor | ||
Spettri rilevati Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile | ||
Tempo di caduta tipico 5μs | ||
Lunghezza d'onda di picco 850nm | ||
Tempo di salita tipico 6μs | ||
Confezionamento Sfuso | ||
Corrente illuminazione massima 10mA | ||
Corrente di buio massima 50nA | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tipo di package Piombato | ||
Temperatura massima di funzionamento 100°C | ||
Lunghezza 5.75mm | ||
Altezza 8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Corrente collettore 50mA | ||
Serie BPV11 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione collettore emettitore 70V | ||
Tensione emettitore collettore 70V | ||
Il fototransistor NPN al silicio Vishay ha un'elevata sensibilità radiante in un contenitore in plastica trasparente T-13⁄4 con terminale di base. È sensibile alle radiazioni visibili e prossime alle radiazioni a infrarossi. Si tratta di un fototransistor collegato a un terminale di base con tempi di risposta rapidi.
Elevata sensibilità fotografica
Elevata sensibilità radiante
Adatto per le radiazioni a infrarossi visibili e vicine
