Fototransistor Vishay VEMT3705 60 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile, Superficie PLCC
- Codice RS:
- 637-774
- Codice costruttore:
- VEMT3705-GS08
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 637-774
- Codice costruttore:
- VEMT3705-GS08
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Spettri rilevati | Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile | |
| Tipo prodotto | Fototransistor | |
| Tempo di caduta tipico | 21000ns | |
| Lunghezza d'onda di picco | 950nm | |
| Tempo di salita tipico | 14000ns | |
| Confezionamento | Nastro e bobina | |
| Corrente illuminazione massima | 0.6mA | |
| Corrente di buio massima | 200nA | |
| Angolo mezza sensibilità | 60 ° | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tipo di package | PLCC 2 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 100°C | |
| Larghezza | 2.8mm | |
| Corrente collettore | 50mA | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020 | |
| Lunghezza | 3.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Serie | VEMT3705 | |
| Tensione collettore emettitore | 7.8V | |
| Tensione emettitore collettore | 20V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Spettri rilevati Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile | ||
Tipo prodotto Fototransistor | ||
Tempo di caduta tipico 21000ns | ||
Lunghezza d'onda di picco 950nm | ||
Tempo di salita tipico 14000ns | ||
Confezionamento Nastro e bobina | ||
Corrente illuminazione massima 0.6mA | ||
Corrente di buio massima 200nA | ||
Angolo mezza sensibilità 60 ° | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tipo di package PLCC 2 | ||
Temperatura massima di funzionamento 100°C | ||
Larghezza 2.8mm | ||
Corrente collettore 50mA | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020 | ||
Lunghezza 3.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie VEMT3705 | ||
Tensione collettore emettitore 7.8V | ||
Tensione emettitore collettore 20V | ||
- Paese di origine:
- DE
Il fototransistor planare epitassiale NPN in silicio ad alta velocità Vishay è alloggiato in un pacchetto PLCC-2 compatto ed è progettato per la sensibilità alle radiazioni visibili e a infrarossi prossimi, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono un rilevamento preciso della luce.
Il tipo di contenitore è a montaggio superficiale
Tempi di risposta rapidi
Adatto per radiazioni visibili e a infrarossi vicini
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