Fototransistor Vishay VEMT3705 60 ° Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile, Montaggio

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

0,41 €

(IVA esclusa)

0,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 7500 unità in spedizione dal 30 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 240,41 €
25 - 990,36 €
100 - 4990,32 €
500 - 9990,28 €
1000 +0,26 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
637-774
Codice costruttore:
VEMT3705-GS08
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

Fototransistor

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi prossimi, Radiazione a infrarossi visibile

Tempo di caduta tipico

21000ns

Tempo di salita tipico

14000ns

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

0.6mA

Corrente di buio massima

200nA

Angolo mezza sensibilità

60 °

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

PLCC 2

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Altezza

1.75mm

Larghezza

2.8 mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020

Lunghezza

3.5mm

Corrente collettore

50mA

Tensione collettore emettitore

7.8V

Standard automobilistico

No

Tensione emettitore collettore

20V

Serie

VEMT3705

Paese di origine:
DE
Il fototransistor planare epitassiale NPN in silicio ad alta velocità Vishay è alloggiato in un pacchetto PLCC-2 compatto ed è progettato per la sensibilità alle radiazioni visibili e a infrarossi prossimi, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono un rilevamento preciso della luce.

Il tipo di contenitore è a montaggio superficiale

Tempi di risposta rapidi

Adatto per radiazioni visibili e a infrarossi vicini