Fototransistor Vishay BPW17N BPW17N ±12 ° Visibile, Radiazione a infrarossi prossimi T-3/4 package
- Codice RS:
- 257-6823
- Codice Distrelec:
- 304-34-924
- Codice costruttore:
- BPW17N
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-6823
- Codice Distrelec:
- 304-34-924
- Codice costruttore:
- BPW17N
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | Fototransistor | |
| Spettri rilevati | Visibile, Radiazione a infrarossi prossimi | |
| Tempo di caduta tipico | 5μs | |
| Lunghezza d'onda di picco | 825nm | |
| Tempo di salita tipico | 4.8μs | |
| Numero di canali | 1 | |
| Confezionamento | Sfuso | |
| Corrente illuminazione massima | 1.0mA | |
| Corrente di buio massima | 200nA | |
| Angolo mezza sensibilità | ±12 ° | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tipo di package | T-3/4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 100°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC | |
| Corrente collettore | 50mA | |
| Diametro | 1.8mm | |
| Tensione collettore emettitore | 5V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Serie | BPW17N | |
| Tensione emettitore collettore | 32V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto Fototransistor | ||
Spettri rilevati Visibile, Radiazione a infrarossi prossimi | ||
Tempo di caduta tipico 5μs | ||
Lunghezza d'onda di picco 825nm | ||
Tempo di salita tipico 4.8μs | ||
Numero di canali 1 | ||
Confezionamento Sfuso | ||
Corrente illuminazione massima 1.0mA | ||
Corrente di buio massima 200nA | ||
Angolo mezza sensibilità ±12 ° | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tipo di package T-3/4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 100°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC | ||
Corrente collettore 50mA | ||
Diametro 1.8mm | ||
Tensione collettore emettitore 5V | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie BPW17N | ||
Tensione emettitore collettore 32V | ||
Il fototransistor NPN al silicio Vishay con elevata sensibilità radiante in un contenitore in plastica trasparente T-3/4 con lente. È sensibile alle radiazioni visibili e prossime alle radiazioni a infrarossi. Su circuito stampato, questa dimensione del contenitore consente l'assemblaggio di array con passo da 2,54 mm.
Elevata sensibilità fotografica
Elevata sensibilità radiante
Adatto per le radiazioni a infrarossi visibili e vicine
Tempi di risposta rapidi
Angolo di mezza sensibilità: φ = ±12°
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