STMicroelectronics Gate driver MASTERGAN6TR Alta tensione, 16 A 2, QFN, 35 Pin 21V

Il sistema di potenza avanzato STMicroelectronics integra due transistor GaN in modalità di potenziamento in una configurazione half-bridge azionata da un driver gate ad alta tensione e alta frequenza. I GaN di potenza integrati hanno un RDS(ON) tipico di 140 mΩ e una tensione di blocco della sorgente di scarico di 650 V. È dotato di regolatori lineari sia sulle sezioni di azionamento inferiori che superiori per ottimizzare l'efficienza di azionamento. Il lato alto del driver gate incorporato può essere fornito dal diodo bootstrap integrato. La funzione di blocco evita le condizioni di conduttività incrociata. La sezione driver avanzata, grazie al ridotto ritardo di propagazione, ai tempi di risveglio molto brevi e ai tempi di accensione brevi e minimi, consente il funzionamento con commutazione ad alta frequenza. L'ampia gamma di pin di ingresso e il pin di segnalazione remota (FLT) consentono un facile interfacciamento con controller, microcontrollori o unità DSP. Il pin standby consente di ridurre il consumo energetico del dispositivo durante i periodi di inattività.

Sistema di alimentazione integrato che integra transistor da 650 V GaN half-bridge con driver gate ad alta tensione