onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 6.5 A 1, SOIC, 8 Pin 22 V

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1397,00 €

(IVA esclusa)

1704,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 30 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,397 €1.397,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
221-6665
Codice costruttore:
NCV57090CDWR2G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Numero di uscite

5

Tipo di driver

IGBT

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.65mm

Lunghezza

7.6mm

Larghezza

6.05 mm

Serie

NCx57090y

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.

Elevata immunità ai transienti

Elevata immunità elettromagnetica

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Link consigliati