IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247-4L

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

10,15 €

(IVA esclusa)

12,38 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 30 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 910,15 €
10 - 999,14 €
100 - 4998,44 €
500 - 9997,82 €
1000 +7,01 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-076
Codice costruttore:
FGY4L100T120SWD
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

1,07 kW

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247-4L

Configurazione

Emettitore comune

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Paese di origine:
CN
L'IGBT e il diodo Gen7 di ON Semiconductor in un contenitore TO247 a 4 conduttori offrono prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione, consentendo operazioni ad alta efficienza. Questi componenti sono progettati per essere utilizzati in varie applicazioni come inverter solari, gruppi di continuità (UPS) e sistemi di accumulo di energia (ESS), fornendo una gestione affidabile ed efficiente dell'energia in questi ambienti esigenti.

Capacità di corrente elevata
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS

Link consigliati