IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247-4L

L'IGBT e il diodo Gen7 di ON Semiconductor in un contenitore TO247 a 4 conduttori offrono prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione, consentendo operazioni ad alta efficienza. Questi componenti sono progettati per essere utilizzati in varie applicazioni come inverter solari, gruppi di continuità (UPS) e sistemi di accumulo di energia (ESS), fornendo una gestione affidabile ed efficiente dell'energia in questi ambienti esigenti.

Capacità di corrente elevata
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS