IGBT onsemi FGY4L75T120SWD, VCE 1200 V, IC 75 A Emettitore comune, canale Tipo N, TO-247-4L, 4 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-080
Codice costruttore:
FGY4L75T120SWD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

652W

Numero transistor

1

Configurazione

Emettitore comune

Tipo di package

TO-247-4L

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

22.54mm

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
L'IGBT e il diodo Gen7 di ON Semiconductor in un contenitore TO247 a 4 conduttori offrono prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione, consentendo operazioni ad alta efficienza. Questi componenti sono progettati per essere utilizzati in varie applicazioni come inverter solari, gruppi di continuità (UPS) e sistemi di accumulo di energia (ESS), fornendo una gestione affidabile ed efficiente dell'energia in questi ambienti esigenti.

Capacità di corrente elevata

Commutazione fluida e ottimizzata

Bassa perdita di commutazione

Conformità RoHS

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