IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247-4L
- Codice RS:
- 277-080
- Codice costruttore:
- FGY4L75T120SWD
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 277-080
- Codice costruttore:
- FGY4L75T120SWD
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 652 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Configurazione | Emettitore comune | |
| Tipo di package | TO-247-4L | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 4 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 652 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Configurazione Emettitore comune | ||
Tipo di package TO-247-4L | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 4 | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IGBT e il diodo Gen7 di ON Semiconductor in un contenitore TO247 a 4 conduttori offrono prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione, consentendo operazioni ad alta efficienza. Questi componenti sono progettati per essere utilizzati in varie applicazioni come inverter solari, gruppi di continuità (UPS) e sistemi di accumulo di energia (ESS), fornendo una gestione affidabile ed efficiente dell'energia in questi ambienti esigenti.
Capacità di corrente elevata
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS