IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, TO-247-4L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-079
Codice costruttore:
FGY4L160T120SWD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

1,5 kW

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247-4L

Configurazione

Emettitore comune

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Paese di origine:
CN
L'IGBT e il diodo Gen7 di ON Semiconductor in un contenitore TO247 a 4 conduttori offrono prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione, consentendo operazioni ad alta efficienza. Questi componenti sono progettati per essere utilizzati in varie applicazioni come inverter solari, gruppi di continuità (UPS) e sistemi di accumulo di energia (ESS), fornendo una gestione affidabile ed efficiente dell'energia in questi ambienti esigenti.

Capacità di corrente elevata
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità RoHS

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