IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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Codice RS:
284-670
Codice costruttore:
IKQ75N120CH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

549 W

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon con tecnologia trench stop a 1200 V ad alta velocità è stato progettato per offrire prestazioni ineguagliabili nelle applicazioni più esigenti. È caratterizzato da un design all'avanguardia che combina una gestione efficiente della potenza con basse perdite di commutazione, rendendolo ideale per i convertitori di potenza ad alta efficienza. Grazie alla robusta confezione di un diodo rapido a commutazione morbida a piena corrente nominale e alle prestazioni termiche ottimizzate, questo dispositivo è adatto ad applicazioni industriali e automobilistiche, tra cui la ricarica di veicoli elettrici e i sistemi di saldatura. Con una temperatura di giunzione massima di 175°C, questo prodotto garantisce affidabilità e durata anche in condizioni estreme.

Ottimizzato per un'elevata efficienza nella commutazione dura
Piombatura senza Pb per la conformità ambientale
Facile parallelismo con coefficiente di temperatura positivo
Ideale per applicazioni industriali come UPS e inverter
Ampia gamma di prodotti con supporto alla modellazione
Fornisce una bassa tensione di saturazione per il risparmio energetico
Le tensioni transitorie di emettitore del gate migliorano le prestazioni di commutazione

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