IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-997
Codice costruttore:
IKQ75N120CS7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

630 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è dotato di una tecnologia IGBT 7 con arresto in trincea a 1200 V, resistente ai cortocircuiti, che combina prestazioni elevate con un'affidabilità eccezionale, rendendolo la scelta ideale per le applicazioni industriali. Progettato per una gestione termica superiore, offre robuste capacità di resistenza ai cortocircuiti e caratteristiche di commutazione ottimizzate. L'integrazione di una bassa tensione di saturazione e di un diodo morbido e a basso Qrr migliora l'efficienza complessiva e fornisce una gestione completa della corrente. Questo componente è particolarmente adatto ai progetti di convertitori avanzati, come gli inverter solari e gli azionamenti industriali, consentendo di migliorare le prestazioni e la robustezza del sistema in condizioni difficili.

Ottimizzato per topologie di commutazione rigide per garantire l'efficienza
La bassa tensione di saturazione migliora l'efficienza del sistema
La robustezza del cortocircuito garantisce un funzionamento affidabile in caso di guasto
Qualificato per applicazioni industriali secondo gli standard JEDEC
Modelli PSpice estesi per una simulazione efficace
Facile integrazione in diversi alimentatori industriali
La robusta resistenza termica aumenta l'affidabilità e la durata nel tempo

Link consigliati