IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-004
Codice costruttore:
IKQB200N75CP2AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

200 A

Tensione massima collettore emitter

750 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

937 W

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è un IGBT EDT2 ad alte prestazioni progettato specificamente per le applicazioni più esigenti. Con un design robusto e resistente ai cortocircuiti, gestisce in modo efficiente tensioni elevate fino a 750 V, garantendo al contempo prestazioni termiche eccezionali. Racchiuso in un pacchetto saldabile a rifusione, questo componente garantisce una facile integrazione in vari sistemi, supportando applicazioni come i moduli di controllo del gruppo propulsore CAV e gli azionamenti generici. Progettato per ottimizzare l'efficienza di commutazione, questo IGBT bilancia basse perdite di conduzione e rapide capacità di commutazione, fornendo così una soluzione affidabile per operazioni ad alta frequenza fino a 10 kHz.

Struttura robusta e resistente ai cortocircuiti per garantire l'affidabilità
Ottimizzato per topologie di commutazione rigide per garantire l'efficienza
La bassa tensione di saturazione riduce al minimo le perdite di energia
L'imballaggio versatile per la saldatura a rifusione aumenta la flessibilità
Il diodo di recupero morbido integrato riduce le perdite di commutazione
Qualificato per applicazioni industriali secondo gli standard JEDEC
Ecosistema di prodotti completo con modelli PSpice disponibili

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