IGBT Renesas Electronics, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 124-3699P
- Codice costruttore:
- RJH1CF7RDPQ-80#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 4 unità (fornito in tubo)*
14,64 €
(IVA esclusa)
17,88 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità |
|---|---|
| 4 - 8 | 3,66 € |
| 10 - 48 | 3,33 € |
| 50 - 98 | 3,05 € |
| 100 + | 2,815 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-3699P
- Codice costruttore:
- RJH1CF7RDPQ-80#T2
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.94 x 5.02 x 21.13mm | |
| Capacità del gate | 3270pF | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 60 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.94 x 5.02 x 21.13mm | ||
Capacità del gate 3270pF | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
- Paese di origine:
- JP
IGBT discreti, Renesas Electronics
IGBT discreti e moduli
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.