Modulo IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, VCE 1.2 kV, IC 295 A, canale Tipo N, Modulo 62MM, 7 Pin Superficie
- Codice RS:
- 124-8789
- Codice costruttore:
- FF200R12KE3HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 scatola da 10 unità*
902,88 €
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Unità | Per unità | Per Scatola* |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-8789
- Codice costruttore:
- FF200R12KE3HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 295A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.2kV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.05kW | |
| Numero transistor | 2 | |
| Tipo di package | Modulo 62MM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 7 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | FF200R12KE3 | |
| Altezza | 29mm | |
| Lunghezza | 106.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 295A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.2kV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.05kW | ||
Numero transistor 2 | ||
Tipo di package Modulo 62MM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 7 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie FF200R12KE3 | ||
Altezza 29mm | ||
Lunghezza 106.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Moduli IGBT, Infineon
La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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