Modulo IGBT Infineon, VCE 1.2 kV, IC 295 A, canale Tipo N, Modulo 62MM, 7 Pin Superficie

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Codice RS:
838-6891
Codice costruttore:
FF200R12KE3HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

295A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

1.05kW

Tipo di package

Modulo 62MM

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

7

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

106.4mm

Altezza

29mm

Serie

FF200R12KE3

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.

Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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