IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247

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Codice RS:
162-3316
Codice costruttore:
IKY50N120CH3XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

652 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

P

Numero pin

4

Velocità di switching

60kHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.9 x 5.1 x 22.5mm

Capacità del gate

3269pF

Minima temperatura operativa

-40 °C

Classe di efficienza energetica

4.2mJ

Massima temperatura operativa

+175 °C

Rispondendo alla domanda del mercato di prodotti discreti ad alta densità di potenza e con prestazioni più elevate, Infineon introduce il nuovo contenitore a 4 pin TO-247PLUS con emettitore Kelvin per IGBT da 1200 V. Maggiore capacità di corrente, comportamento termico migliorato, estesa dispersione C-E: queste sono le caratteristiche principali del contenitore TO-247PLUS. La configurazione del contenitore a 4 pin eroga induttanza ultra-bassa al circuito di controllo dell’emettitore gate con il contenitore a 4 pin direttamente al driver per gate e consente la riduzione di perdite E on e E off, per un totale del 20% sulle perdite di commutazione totali.

Anello di controllo con induttanza estremamente ridotta, pin emettitore extra per feedback del driver
Riduzione del 20% nelle perdite totali di commutazione rispetto al contenitore a 3 pin che impiega la stessa tecnologia
IGBT fino a 75 A 1200 V confezionato con un diodo da 75 A nell’ingombro TO-247
Massima efficienza con IGBT da 1200 V a perdite di commutazione minime
IGBT discreti di 1200 V a elevata densità di potenza
Bassa resistenza termica

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