IGBT Infineon IKY50N120CH3XKSA1, VCE 1200 V, IC 100 A, TO-247, 4 Pin

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Codice RS:
162-3316
Codice costruttore:
IKY50N120CH3XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

652W

Tipo di package

TO-247

Numero pin

4

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.35V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.9 mm

Altezza

5.1mm

Lunghezza

41.2mm

Standard automobilistico

No

Rispondendo alla domanda del mercato di prodotti discreti ad alta densità di potenza e con prestazioni più elevate, Infineon introduce il nuovo contenitore a 4 pin TO-247PLUS con emettitore Kelvin per IGBT da 1200 V. Maggiore capacità di corrente, comportamento termico migliorato, estesa dispersione C-E: queste sono le caratteristiche principali del contenitore TO-247PLUS. La configurazione del contenitore a 4 pin eroga induttanza ultra-bassa al circuito di controllo dell’emettitore gate con il contenitore a 4 pin direttamente al driver per gate e consente la riduzione di perdite E on e E off, per un totale del 20% sulle perdite di commutazione totali.

Anello di controllo con induttanza estremamente ridotta, pin emettitore extra per feedback del driver

Riduzione del 20% nelle perdite totali di commutazione rispetto al contenitore a 3 pin che impiega la stessa tecnologia

IGBT fino a 75 A 1200 V confezionato con un diodo da 75 A nell’ingombro TO-247

Massima efficienza con IGBT da 1200 V a perdite di commutazione minime

IGBT discreti di 1200 V a elevata densità di potenza

Bassa resistenza termica

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