IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)

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Codice RS:
165-5304
Codice costruttore:
STGD5NB120SZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

10 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

75 W

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Classe di efficienza energetica

12.68mJ

Capacità del gate

430pF

Massima temperatura operativa

+150 °C

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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