IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 5 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 165-5304
- Codice costruttore:
- STGD5NB120SZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
2337,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,935 € | 2.337,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5304
- Codice costruttore:
- STGD5NB120SZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 5A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 690ns | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | H | |
| Lunghezza | 6.2mm | |
| Altezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Classificazione energetica | 12.68mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 5A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 690ns | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie H | ||
Lunghezza 6.2mm | ||
Altezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Standard automobilistico No | ||
Classificazione energetica 12.68mJ | ||
- Paese di origine:
- CN
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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