IGBT STMicroelectronics, VCE 475 V, IC 25 A, canale N, DPAK

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Codice RS:
164-6958
Codice costruttore:
STGD20N45LZAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

25 A

Tensione massima collettore emitter

475 V

Tensione massima gate emitter

16V

Dissipazione di potenza massima

125 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

DPAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

6.6 x 2.4 x 6.2mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Classe di efficienza energetica

300mJ

Massima temperatura operativa

+175 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Capacità del gate

1011pF

Questo IGBT specifico per ogni applicazione utilizza la tecnologia PowerMESH™ più avanzata ottimizzata per l'azionamento delle bobine negli ambienti difficili dei sistemi di accensione automobilistici. Questi dispositivi mostrano una tensione molto bassa in stato attivo e un'altissima capacità di energia CSI su un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Inoltre, l’ingresso gate di livello logico con protezione ESD e una resistenza gate integrata rendono superflui i circuiti di protezione esterna.

Energia SCIS di 300 mJ a Tj = 25 °C
Le parti sono testate al 100% in SCIS
Protezione emettitore gate ESD
Bloccaggio ad alta tensione collettore gate
Stadio pilota livello logico
Tensione di saturazione molto bassa
Capacità di corrente di impulso elevata
Resistenza gate ed emettitore gate

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