IGBT STMicroelectronics STGD18N40LZT4, VCE 390 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
795-9019
Codice costruttore:
STGD18N40LZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

390V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.7V

Tensione emettitore gate massima VGEO

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STGD18N40LZ

Standard/Approvazioni

AEC Q101

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Classificazione energetica

180mJ

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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