IGBT STMicroelectronics STGD5NB120SZT4, VCE 1.2 kV, IC 5 A, canale N, TO-252, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
877-2879
Codice costruttore:
STGD5NB120SZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

5A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

690ns

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD97, ECOPACK

Larghezza

6.4mm

Serie

H

Altezza

2.2mm

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

12.68mJ

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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