IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 14 A, canale N, D2PAK

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Codice RS:
151-939
Codice costruttore:
STGB3NC120HDT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

14 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

75 W

Tipo di package

D2PAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
L'IGBT di STMicroelectronics mostra un eccellente compromesso tra basse perdite di conduzione e prestazioni di commutazione rapida. È progettato con la tecnologia Power MESH combinata con un diodo ultraveloce ad alta tensione.

Capacità di alta tensione
Alta velocità
Recupero ultrarapido molto morbido diodo antiparallelo

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