IGBT STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, VCE 1200 V, IC 14 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 151-940
- Codice costruttore:
- STGB3NC120HDT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 5 unità*
10,26 €
(IVA esclusa)
12,515 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 970 unità in spedizione dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,052 € | 10,26 € |
| 50 - 95 | 1,952 € | 9,76 € |
| 100 - 495 | 1,804 € | 9,02 € |
| 500 + | 1,66 € | 8,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-940
- Codice costruttore:
- STGB3NC120HDT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 14A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 15ns | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 16mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 14A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 15ns | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 16mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IGBT STMicroelectronics mostra un eccellente equilibrio tra basse perdite di conduzione e prestazioni di commutazione rapide. È progettato con tecnologia Power MESH combinata con un diodo ultrarapido ad alta tensione.
Capacità di alta tensione
Alta velocità
Diodo antiparallelo di recupero ultrarapido molto morbido
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 IC 14 A TO-263, 3 Pin Superficie
- IGBT onsemi IC 35 A TO-263, 3 Pin Superficie
- IGBT STMicroelectronics IC 50 A, 3 Pin Foro passante
- IGBT onsemi HGT1S10N120BNST IC 35 A TO-263, 3 Pin Superficie
- IGBT STMicroelectronics STGYA50M120DF3 IC 50 A, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 25 A TO-263, 3 Pin Superficie
- IGBT STMicroelectronics IC 30 A TO-263, 3 Pin Superficie
- IGBT STMicroelectronics IC 20 A TO-263, 3 Pin Superficie