IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 100 A, Max247
- Codice RS:
- 248-4896
- Codice costruttore:
- STGYA50M120DF3
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 248-4896
- Codice costruttore:
- STGYA50M120DF3
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 535 W | |
| Tipo di package | Max247 | |
| Configurazione | Single | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 535 W | ||
Tipo di package Max247 | ||
Configurazione Single | ||
Il prodotto di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria di blocco del campo del gate della trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra prestazioni e efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura positivo di VCEsat e la stretta distribuzione dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.
Temperatura di giunzione massima di 175 C°
10 μs di tempo di resistenza ai cortocircuti
Basso VCEsat
Distribuzione stretta parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat)positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido
10 μs di tempo di resistenza ai cortocircuti
Basso VCEsat
Distribuzione stretta parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat)positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido