IGBT STMicroelectronics STGYA50M120DF3, VCE 1200 V, IC 50 A, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-4896
Codice costruttore:
STGYA50M120DF3
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

535W

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

5.1mm

Serie

STGYA50M120DF3

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Il prodotto di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria di blocco del campo del gate della trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra prestazioni e efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura positivo di VCEsat e la stretta distribuzione dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Temperatura di giunzione massima di 175 C°

10 μs di tempo di resistenza ai cortocircuti

Basso VCEsat

Distribuzione stretta parametri

Coefficiente di temperatura VCE(sat)positivo

Resistenza termica bassa

Diodo antiparallelo a recupero molto rapido

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