IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura brevettata con arresto di campo per gate trench. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C
5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
VCE(sat) = 2,1 V a IC= 75 A
Distribuzione stretta dei parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido