IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247
- Codice RS:
- 234-8894
- Codice costruttore:
- STGYA75H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 234-8894
- Codice costruttore:
- STGYA75H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 150 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 750 W | |
| Tipo di package | Max247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 150 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 750 W | ||
Tipo di package Max247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura brevettata con arresto di campo per gate trench. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.
Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C
5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
VCE(sat) = 2,1 V a IC= 75 A
Distribuzione stretta dei parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido
5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
VCE(sat) = 2,1 V a IC= 75 A
Distribuzione stretta dei parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido