IGBT STMicroelectronics STGYA75H120DF2, VCE 1200 V, IC 150 A, canale Tipo N, Max247, 3 Pin Foro passante

L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura brevettata con arresto di campo per gate trench. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura di giunzione massima TJ = 175 C°5}