IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247

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Codice RS:
234-8892
Codice costruttore:
STGYA75H120DF2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

150 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

750 W

Tipo di package

Max247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura brevettata con arresto di campo per gate trench. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C
5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
VCE(sat) = 2,1 V a IC= 75 A
Distribuzione stretta dei parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido

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