Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, AG-34MM-1

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Codice RS:
166-0839
Codice costruttore:
FF100R12RT4HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

555 W

Tipo di package

AG-34MM-1

Configurazione

Serie

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Serie

Dimensioni

94 x 34 x 30.2mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

Paese di origine:
MY

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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