IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 6 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
168-7740
Codice costruttore:
STGF3NC120HD
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

6A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

16.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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