IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-3P, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 168-8792
- Codice costruttore:
- STGWT30H60DFB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 150 in più per risparmiare 1%
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 30 unità*
69,12 €
(IVA esclusa)
84,33 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 15 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* | Risparmio |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 2,304 € | 69,12 € | - |
| 150 - 270 | 2,276 € | 68,28 € | 1% |
| 300 + | 2,248 € | 67,44 € | 2% |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-8792
- Codice costruttore:
- STGWT30H60DFB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 260W | |
| Tipo di package | TO-3P | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 260W | ||
Tipo di package TO-3P | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie HB | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- KR
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics STGWT30H60DFB IC 60 A TO-3P, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW30V60DF IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW60V60DF IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW30NC60KD IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A TO-3P, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGWT80H65FB IC 120 A TO-3P, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGWT60H65DFB IC 80 A TO-3P, 3 Pin Foro passante