IGBT STMicroelectronics STGW60V60DF, VCE 600 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 791-7643
- Codice costruttore:
- STGW60V60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
20,94 €
(IVA esclusa)
25,545 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 5 unità pronte per la spedizione
- Più 5 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 80 unità in spedizione dal 14 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,188 € | 20,94 € |
| 10 - 20 | 3,98 € | 19,90 € |
| 25 - 45 | 3,584 € | 17,92 € |
| 50 + | 3,562 € | 17,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 791-7643
- Codice costruttore:
- STGW60V60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW30V60DF IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW30NC60KD IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT onsemi IC 60 A TO-247
- IGBT Bourns IC 60 A 3 Pin
- IGBT Bourns BIDW30N60T IC 60 A 3 Pin
- IGBT Infineon IC 60 A 3 Pin Foro passante
- IGBT Bourns IC 40 A, TO-247