IGBT STMicroelectronics STGW30V60DF, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
791-7630
Codice costruttore:
STGW30V60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

258W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Serie

V

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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