IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, canale N, TO-220
- Codice RS:
- 170-2371
- Codice costruttore:
- IKP20N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,959 € | 19,59 € |
| 20 - 40 | 1,861 € | 18,61 € |
| 50 - 90 | 1,783 € | 17,83 € |
| 100 - 240 | 1,666 € | 16,66 € |
| 250 + | 1,568 € | 15,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-2371
- Codice costruttore:
- IKP20N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 41 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 166 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 0.77mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 41 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 166 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Classe di efficienza energetica 0.77mJ | ||
igbt infineon
L'IGBT Infineon è un transistor a 3 pin con montaggio a foro passante da canale N A 220. Ha una corrente nominale di 41A e una tensione nominale di 3rd 600V generazione IGBT a conduzione inversa ottimizzata per minori perdite di conduzione e commutazione. Il suo comportamento di commutazione soft consente prestazioni migliori e un comportamento EMI migliore. Con l'ausilio di questo transistor, è possibile ottenere prestazioni eccellenti a costi inferiori.
Caratteristiche e vantaggi
• conveniente
• Elevata efficienza
• emissioni EMI ridotte
• basse perdite di commutazione
• caduta minima V ce (sat) per minori perdite di conduzione
• la massima dissipazione di potenza è 166W
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -40 °C e 175 °C.
• dissipazione di potenza Ridotta
• capacità di sovracorrente
• diodo controllato da emettitore parallelo a recupero rapido E molto morbido
• Elevata efficienza
• emissioni EMI ridotte
• basse perdite di commutazione
• caduta minima V ce (sat) per minori perdite di conduzione
• la massima dissipazione di potenza è 166W
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -40 °C e 175 °C.
• dissipazione di potenza Ridotta
• capacità di sovracorrente
• diodo controllato da emettitore parallelo a recupero rapido E molto morbido
Applications
• Elettrodomestici
• stufe a induzione
• Unità industriali
• forni a microonde
• cucina di riso
• UPS
• Saldatura
• stufe a induzione
• Unità industriali
• forni a microonde
• cucina di riso
• UPS
• Saldatura
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• bs en 61340-5-1:2007