IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 170-2371
- Codice costruttore:
- IKP20N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 170-2371
- Codice costruttore:
- IKP20N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 41A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 166W | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Classificazione energetica | 0.77mJ | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 41A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 166W | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Classificazione energetica 0.77mJ | ||
Standard automobilistico No | ||
La tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT di Infineon porta a un miglioramento significativo delle prestazioni statiche e dinamiche del dispositivo grazie alla combinazione tra la cella trench e il concetto field stop. La combinazione del dispositivo IGBT con diodo controllato da emettitore a recupero morbido riduce ulteriormente le perdite all’attivazione. La massima efficienza viene raggiunta grazie al il miglior compromesso tra le perdite di conduzione e commutazione
La più bassa caduta V ce(sat) per perdite di conduzione ridotte
Basse perdite di commutazione
Capacità di commutazione in parallelo facile grazie al coefficiente di temperatura positivo in V ce(sat)
Diodo controllato da emettitore anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido
Elevata robustezza, comportamento stabile rispetto alla temperatura
Emissioni EMI ridotte
Bassa carica di gate
Distribuzione dei parametri molto rigida
Vantaggi:
Massima efficienza - perdite di conduzione e commutazione basse
Gamma completa a 600 V e 1200 V per una maggiore flessibilità di progettazione
Dispositivo ad alta affidabilità
Applicazioni target:
UPS
Inverter solari
Principali elettrodomestici
Saldatura
Aria condizionata
Unità industriali
Altre applicazioni hard switching
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