- Codice RS:
- 180-7871
- Codice costruttore:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Pack* |
5 + | 2,35 € | 11,75 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 180-7871
- Codice costruttore:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET Vishay
Il MOSFET PowerPAK-SO-8 a canale N per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 8,7 ms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 83W e corrente di drain continua di 60A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
Senza alogeni
componente senza piombo (Pb)
la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da per una commutazione rapida
componente senza piombo (Pb)
la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da per una commutazione rapida
Applications
interruttore lato primario CC/CC
Siti industriali
Telecom/server 48V, c.c./c.c. full/half-bridge
Siti industriali
Telecom/server 48V, c.c./c.c. full/half-bridge
Certificazioni
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
Rg testato
UIS testato
BS EN 61340-5-1:2007
Rg testato
UIS testato
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