MOSFET Vishay, canale Tipo P -20 V, 0.165 Ω, -2 A, 6 Pin, SC-70, Superficie

Questo MOSFET a canale p è un transistor compatto a montaggio superficiale progettato per applicazioni di commutazione e analogiche in sistemi elettronici. Funziona come un dispositivo a canale P con una tensione massima di drenaggio-sorgente di -20 V, adatto per progetti a bassa tensione che richiedono un flusso di corrente controllato e prestazioni di commutazione azionate da gate. Il dispositivo è destinato ad applicazioni professionali nell'automazione e nei sistemi elettrici in cui lo spazio sulla scheda e la resistenza termica sono importanti.

• Rds(on) bassi di 0,165 Ω per ridurre le perdite di conduzione • La corrente di drenaggio continua massima di -2 A supporta correnti di carico moderate • La dissipazione di potenza massima di 2,8 W consente un funzionamento prolungato sotto carico • La carica gate tipica di 7,6 nC consente una commutazione gate-drive efficiente • Temperatura d'esercizio massima di +150 °C per ambienti ad alta temperatura • Approvato RoHS per la conformità ai limiti di sostanze pericolose

• Adatto per circuiti di gestione dell'alimentazione ad alta temperatura • Ideale per la commutazione di carichi a bassa tensione nelle apparecchiature di automazione • Utilizzato per la protezione della polarità nei sistemi alimentati a batteria • Può essere utilizzato per la commutazione analogica controllata da gate nei moduli di controllo • Adatto per progetti compatti a montaggio superficiale che richiedono dispositivi a canale P

È fornito in un contenitore SC‐70 progettato per il montaggio superficiale, ottimizzato per i processi di assemblaggio pick‐and‐place automatizzati.

Il dispositivo accetta una tensione massima gate-source di 8 V

La tensione diretta specificata è di -1,2 V, che indica la caduta prevista durante la conduzione in condizioni di polarizzazione diretta.

Il dispositivo è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a +150 °C, coprendo un'ampia gamma di temperature d'esercizio.