MOSFET Vishay, canale Tipo P -20 V, 0.165 Ω, -2 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SI1427EDH-T1-GE3
- Codice RS:
- 256-7340
- Codice costruttore:
- SI1427EDH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 256-7340
- Codice costruttore:
- SI1427EDH-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -20V | |
| Serie | SI1427EDH | |
| Tipo di package | SC-70 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.165Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.8W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V | ||
Serie SI1427EDH | ||
Tipo di package SC-70 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.165Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.8W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie SI1427EDH di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 2 A - SI1427EDH-T1-GE3
Questo MOSFET a canale p è un semiconduttore a montaggio superficiale destinato a ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto a condizioni difficili ed è fornito in un contenitore a basso profilo per progetti di schede con limiti di spazio.
Caratteristiche e vantaggi:
• Bassa Rds(on) di 0,165 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Corrente nominale di drenaggio continuo di 2 A per la commutazione a media potenza
• La tensione nominale drain-source di 20 V consente sistemi a bassa tensione
• Carica gate tipica di 7,6 nC per prestazioni di commutazione prevedibili
• La tensione diretta di -1,2 V riduce al minimo la caduta di tensione durante la conduzione
• Conforme alla direttiva RoHS per l'uso in ambienti di produzione regolamentati
• Corrente nominale di drenaggio continuo di 2 A per la commutazione a media potenza
• La tensione nominale drain-source di 20 V consente sistemi a bassa tensione
• Carica gate tipica di 7,6 nC per prestazioni di commutazione prevedibili
• La tensione diretta di -1,2 V riduce al minimo la caduta di tensione durante la conduzione
• Conforme alla direttiva RoHS per l'uso in ambienti di produzione regolamentati
Applicazioni
• Adatto per la protezione della batteria e i circuiti di commutazione del carico
• Ideale per i percorsi di alimentazione dei dispositivi portatili e portatili
• Utilizzato con convertitori CC-CC in assemblaggi compatti
• Può essere utilizzato per il blocco della corrente inversa nelle guide di alimentazione
• Adatto per dispositivi gate di controllo motore a bassa tensione
• Ideale per i percorsi di alimentazione dei dispositivi portatili e portatili
• Utilizzato con convertitori CC-CC in assemblaggi compatti
• Può essere utilizzato per il blocco della corrente inversa nelle guide di alimentazione
• Adatto per dispositivi gate di controllo motore a bassa tensione
Quali considerazioni sul pacchetto influenzano il layout della scheda?
Viene fornito in un pacchetto SC-70 con sei pin, che consente una disposizione stretta dei tamponi e una saldatura a riflusso semplice per progetti ad alta densità a montaggio superficiale.
In che modo le prestazioni termiche influenzano i requisiti di raffreddamento?
La dissipazione di potenza massima è di 2,8 W, pertanto l'area in rame del circuito stampato e le vie termiche devono essere dimensionate per rimuovere il calore quando si funziona vicino a quel livello di dissipazione.
Quali limitazioni del gate devono rispettare i progettisti?
Il gate non deve superare 8 V rispetto alla sorgente per evitare di danneggiare il dispositivo, e la carica tipica del gate di 7,6 nC guida la selezione del driver.
In che modo il dispositivo è in grado di gestire condizioni ambientali estreme?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso nei casi in cui è richiesta un'ampia resistenza termica.
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.165 Ω 6 Pin Superficie SI1427EDH-T1-GE3
- Switch di alimentazione CI Vishay SI1869DH-T1-GE3 Interruttore di carico high-side 6 Pin, 0.165 Ω
- MOSFET Vishay 0.032 Ω PowerPAK SC-70, Superficie SIA4265EDJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 199 mΩ PowerPAK SC-70, Superficie SIA4263DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 55 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SIA461DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 71 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SIA447DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 24 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SiA471DJ-T1-GE3
- MOSFET Vishay 100 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SI1441EDH-T1-GE3
