IGBT STMicroelectronics STGB30H65DFB2, VCE 650 V, IC 50 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-9868
Codice costruttore:
STGB30H65DFB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.

Bassa VCE (sat) = 1,65 V (tip.) @ IC = 30 A.

Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

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