IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263

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Codice RS:
218-4389
Codice costruttore:
IGB50N65H5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

270 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-263

Tipo di canale

N

Numero pin

3

La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del dispositivo, fornendo prestazioni senza precedenti in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione difficili. Ha una tensione del collettore-emettitore di 650 V e una corrente del collettore di 80 A.

Maggiore densità di potenza
50V aumento della tensione del bus possibile senza compromettere l'affidabilità
Coefficiente di temperatura positivo moderato

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