IGBT Infineon IGB50N65H5ATMA1, VCE 650 V, IC 50 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-4390
Codice costruttore:
IGB50N65H5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

270W

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 ±30 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del dispositivo, fornendo prestazioni senza precedenti in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione difficili. Ha una tensione del collettore-emettitore di 650 V e una corrente del collettore di 80 A.

Maggiore densità di potenza

50V aumento della tensione del bus possibile senza compromettere l'affidabilità

Coefficiente di temperatura positivo moderato

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