IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

15,30 €

(IVA esclusa)

18,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 203,06 €15,30 €
25 - 452,752 €13,76 €
50 - 1202,57 €12,85 €
125 - 2452,388 €11,94 €
250 +2,204 €11,02 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-4390
Codice costruttore:
IGB50N65H5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

270 W

Tipo di package

TO-263

Tipo di canale

N

Numero pin

3

La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del dispositivo, fornendo prestazioni senza precedenti in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione difficili. Ha una tensione del collettore-emettitore di 650 V e una corrente del collettore di 80 A.

Maggiore densità di potenza
50V aumento della tensione del bus possibile senza compromettere l'affidabilità
Coefficiente di temperatura positivo moderato

Link consigliati