Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM400GB12T4, VCE 0.9 V, IC 616 A, canale Tipo N, SEMITRANS3, 7 Pin Superficie
- Codice RS:
- 210-4950
- Codice costruttore:
- SKM400GB12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 210-4950
- Codice costruttore:
- SKM400GB12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 616A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 0.9V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Tipo di package | SEMITRANS3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 7 | |
| Velocità di commutazione | 20kHz | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 106.4mm | |
| Altezza | 30.5mm | |
| Standard/Approvazioni | UL, File no. E63532 | |
| Serie | SKM400GB12T4 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 616A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 0.9V | ||
Numero transistor 2 | ||
Tipo di package SEMITRANS3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 7 | ||
Velocità di commutazione 20kHz | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 106.4mm | ||
Altezza 30.5mm | ||
Standard/Approvazioni UL, File no. E63532 | ||
Serie SKM400GB12T4 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, inverter c.a. e UPS. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.
Resistenza gate integrata
Maggiore capacità di ciclo di potenza e soft-switching
Due IGBT serie
Temperatura d'esercizio = da -40 a 150 C.
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