Modulo IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

263,39 €

(IVA esclusa)

321,34 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 63 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 4263,39 €
5 - 9256,27 €
10 - 24249,53 €
25 - 49243,13 €
50 +237,04 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-4950
Codice costruttore:
SKM400GB12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continuativa collettore

616 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

2

Configurazione

Dual

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Configurazione transistor

Dual Half Bridge (DHB)

Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, inverter c.a. e UPS. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.

Resistenza gate integrata
Maggiore capacità di ciclo di potenza e soft-switching
Due IGBT serie
Temperatura d'esercizio = da -40 a 150 C.

Link consigliati