Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 618 A, canale N, SEMITRANS3

SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.

Moduli IGBT, Semikron

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.