Modulo IGBT4 veloce Semikron Danfoss SKM150GAL12T4, VCE 1200 V, IC 232 A, canale Tipo N, SEMITRANS2, 5 Pin Superficie

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Codice RS:
687-4951
Codice costruttore:
SKM150GAL12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continua collettore Ic

232A

Tipo prodotto

Modulo IGBT4 veloce

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Tipo di package

SEMITRANS2

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

5

Velocità di commutazione

180ns

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.4V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

30.1mm

Serie

GAL

Standard/Approvazioni

IEC 60747-1

Lunghezza

94mm

Larghezza

34 mm

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT singoli


SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.

Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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