Modulo IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 232 A, canale N, SEMITRANS2

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Codice RS:
687-4951
Codice costruttore:
SKM150GAL12T4
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Corrente massima continuativa collettore

232 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Configurazione

Single

Tipo di package

SEMITRANS2

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

5

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

94 x 34 x 30.1mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

Moduli IGBT singoli


SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.


Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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