Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM100GB176D, VCE 1700 V, IC 125 A, canale Tipo N, SEMITRANS, 7 Pin Pannello
- Codice RS:
- 905-6172
- Codice costruttore:
- SKM100GB176D
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- Codice RS:
- 905-6172
- Codice costruttore:
- SKM100GB176D
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 125A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1700V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Tipo di package | SEMITRANS | |
| Tipo montaggio | Pannello | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 7 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.45V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | SKM100GB176D | |
| Altezza | 30.5mm | |
| Lunghezza | 94mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Corrente massima continua collettore Ic 125A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1700V | ||
Numero transistor 2 | ||
Tipo di package SEMITRANS | ||
Tipo montaggio Pannello | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 7 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.45V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie SKM100GB176D | ||
Altezza 30.5mm | ||
Lunghezza 94mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- SK
Moduli IGBT doppi
Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.
Contenitore compatto SEMITOP®
Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz
Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper
Moduli IGBT, Semikron
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Supplied with
Dispositivi di fissaggio
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