Modulo IGBT4 veloce Semikron Danfoss SKM150GAR12T4, VCE 1200 V, IC 232 A, canale Tipo N, SEMITRANS2, 5 Pin Superficie
- Codice RS:
- 687-4955
- Codice costruttore:
- SKM150GAR12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- Codice RS:
- 687-4955
- Codice costruttore:
- SKM150GAR12T4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 232A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT4 veloce | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Tipo di package | SEMITRANS2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 5 | |
| Velocità di commutazione | 180ns | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.4V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 30.1mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60747-1 | |
| Lunghezza | 94mm | |
| Serie | GAR | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Corrente massima continua collettore Ic 232A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT4 veloce | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Tipo di package SEMITRANS2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 5 | ||
Velocità di commutazione 180ns | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.4V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 30.1mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 60747-1 | ||
Lunghezza 94mm | ||
Serie GAR | ||
Standard automobilistico No | ||
Moduli IGBT singoli
SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.
Moduli IGBT, Semikron
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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