IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 145 A, canale N, TO247-4

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Codice RS:
212-2107
Codice costruttore:
STGW100H65FB2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

145 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

441 W

Tipo di package

TO247-4

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Configurazione transistor

Singolo

IGBT


La serie IGBT STMicroelectronics 650 V HB2 rappresenta un'evoluzione della Advanced proprietaria Trench gate struttura field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

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