IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 145 A, canale N, TO-247-4, 4 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

145,83 €

(IVA esclusa)

177,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 1204,861 €145,83 €
150 +4,801 €144,03 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
212-2106
Codice costruttore:
STGW100H65FB2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

145A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

441W

Tipo di package

TO-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

21.1mm

Serie

STG

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

IGBT


La serie IGBT STMicroelectronics 650 V HB2 rappresenta un'evoluzione della Advanced proprietaria Trench gate struttura field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Link consigliati