IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 145 A, canale Tipo N, TO-247-4, 4 Pin Foro passante

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Codice RS:
212-2106
Codice costruttore:
STGW100H65FB2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

145A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

441W

Tipo di package

TO-247-4

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STG

Altezza

5.1mm

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT


La serie IGBT STMicroelectronics 650 V HB2 rappresenta un'evoluzione della Advanced proprietaria Trench gate struttura field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare l'efficienza per un'ampia gamma di applicazioni rapide.

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

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